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Numero di parte | BSC130P03LSGAUMA1 |
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Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 22.5A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 22.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3670pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |