GP2M020A060N

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
GP2M020A060N P1
GP2M020A060N P1
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Global Power Technologies Group ~ GP2M020A060N

Numero di parte
GP2M020A060N
fabbricante
Global Power Technologies Group
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte GP2M020A060N
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3184pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 347W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PN
Pacchetto / caso TO-3P-3, SC-65-3

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