GP2M005A060PGH

MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
GP2M005A060PGH P1
GP2M005A060PGH P1
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Global Power Technologies Group ~ GP2M005A060PGH

Numero di parte
GP2M005A060PGH
fabbricante
Global Power Technologies Group
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte GP2M005A060PGH
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 658pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 98.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 2.1A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I-Pak
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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