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| Numero di parte | GP2M004A065HG |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 642pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 98.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 2A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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GP2M002A060CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | 0 | Dettagli | |
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GP2M002A060FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A TO220F | 0 | Dettagli | |
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GP2M002A060HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A TO220 | 0 | Dettagli | |
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GP2M002A060PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A | 0 | Dettagli | |
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GP2M002A065CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK | 0 | Dettagli | |
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GP2M002A065FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F | 0 | Dettagli | |
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GP2M002A065HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220 | 0 | Dettagli | |
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GP2M002A065PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK | 0 | Dettagli | |
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GP2M004A060CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A DPAK | 0 | Dettagli | |
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GP2M004A060FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A TO220F | 0 | Dettagli | |
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GP2M004A060HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A TO220 | 0 | Dettagli | |
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GP2M004A060PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A IPAK | 3396 | Dettagli |