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| Numero di parte | GP1M010A080N |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2336pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 312W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
| Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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GP1M003A040CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK | 0 | Dettagli | |
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GP1M003A040PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A IPAK | 0 | Dettagli | |
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GP1M003A050CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK | 0 | Dettagli | |
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GP1M003A050FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F | 0 | Dettagli | |
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GP1M003A050HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 | 0 | Dettagli | |
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GP1M003A050PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK | 0 | Dettagli | |
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GP1M003A080CH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK | 0 | Dettagli | |
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GP1M003A080FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220F | 0 | Dettagli | |
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GP1M003A080H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220 | 0 | Dettagli | |
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GP1M003A080PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK | 0 | Dettagli | |
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GP1M003A090C | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK | 0 | Dettagli | |
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GP1M003A090PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK | 0 | Dettagli |