KBL408G

DIODE BRIDGE 800V 4A KBL
KBL408G P1
KBL408G P1
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GeneSiC Semiconductor ~ KBL408G

Numero di parte
KBL408G
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Descrizione
DIODE BRIDGE 800V 4A KBL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori a ponte
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Numero di parte KBL408G
Stato parte Active
Tipo diodo Single Phase
Tecnologia Standard
Voltage - Peak Reverse (Max) 800V
Corrente - Rettificato medio (Io) 4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 4A
Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 800V
temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso 4-SIP, KBL
Pacchetto dispositivo fornitore KBL

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