NDS8961

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC
NDS8961 P1
NDS8961 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ NDS8961

Numero di parte
NDS8961
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte NDS8961
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V
Potenza - Max 900mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO

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