HGTP5N120BND

IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
HGTP5N120BND P1
HGTP5N120BND P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ HGTP5N120BND

Numero di parte
HGTP5N120BND
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione
IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- HGTP5N120BND PDF online browsing
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
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Numero di parte HGTP5N120BND
Stato parte Not For New Designs
Tipo IGBT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 21A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 5A
Potenza - Max 167W
Cambiare energia 450µJ (on), 390µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 53nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 22ns/160ns
Condizione di test 960V, 5A, 25 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 65ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB

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