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| Numero di parte | FQD11P06TM |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 4.7A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQD10N20CTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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FQD10N20CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK | - | 22500 | Dettagli |
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FQD10N20CTM_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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FQD10N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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FQD10N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK | - | 15000 | Dettagli |
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FQD10N20TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK | 0 | Dettagli | |
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FQD10N20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK | 0 | Dettagli | |
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FQD11P06TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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FQD11P06TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK | - | 50000 | Dettagli |
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FQD12N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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FQD12N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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FQD12N20LTM-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | - | 69006 | Dettagli |