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| Numero di parte | FDP053N08B_F102 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5960pF @ 40V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 146W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 75A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDP050AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB | - | 209 | Dettagli |
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FDP053N08B-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 75A TO-220 | - | 64610 | Dettagli |
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FDP053N08B_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 75A TO-220 | - | 557 | Dettagli |
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FDP054N10 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 | - | 1977 | Dettagli |