FDC8602

MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
FDC8602 P1
FDC8602 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDC8602

Numero di parte
FDC8602
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte FDC8602
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 50V
Potenza - Max 690mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT™-6

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