EPC2020

TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE
EPC2020 P1
EPC2020 P2
EPC2020 P1
EPC2020 P2
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EPC ~ EPC2020

Numero di parte
EPC2020
fabbricante
EPC
Descrizione
TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte EPC2020
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 16mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1780pF @ 30V
Vgs (massimo) +6V, -4V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 mOhm @ 31A, 5V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Pacchetto / caso Die

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