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Numero di parte | EPC2015CENGR |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 9mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 20V |
Vgs (massimo) | +6V, -4V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 33A, 5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die Outline (11-Solder Bar) |
Pacchetto / caso | Die |