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| Numero di parte | ZXGD3105N8TC |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Configurazione guidata | Low-Side |
| Tipo di canale | Single |
| Numero di driver | 1 |
| Gate Type | N-Channel MOSFET |
| Tensione - Fornitura | 4.5 V ~ 25 V |
| Tensione logica - VIL, VIH | - |
| Corrente - Uscita picco (sorgente, lavello) | 4A, 9A |
| Tipo di input | Non-Inverting |
| Tensione lato alto - Max (Bootstrap) | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 77ns, 26ns |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ZXGD3001E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | - | 0 | Dettagli |
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ZXGD3003E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | - | 0 | Dettagli |
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ZXGD3003E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | - | 3000 | Dettagli |
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ZXGD3005E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 | - | 39000 | Dettagli |
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ZXGD3006E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | - | 0 | Dettagli |
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ZXGD3006E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | - | 6000 | Dettagli |
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ZXGD3009DYTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT363 | - | 123000 | Dettagli |
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ZXGD3009E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | - | 6000 | Dettagli |
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ZXGD3101N8TC | Diodes Incorporated | IC SYNCH MOSFET CNTRLR 4A 8SO | - | 0 | Dettagli |