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Diodes Incorporated ~ DMC3730UVT-7

Numero di parte	DMC3730UVT-7
Stato parte	Active
Tipo FET	N and P-Channel Complementary
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	680mA (Ta), 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V, 63pF @ 10V
Potenza - Max	700mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore	TSOT-26

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
DMC3016LDV-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333	-	0	Dettagli
DMC3016LDV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333	-	4000	Dettagli
DMC3016LNS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333	-	0	Dettagli
DMC3016LNS-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333	-	4000	Dettagli
DMC3016LSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO	-	215000	Dettagli
DMC3018LSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC	-	0	Dettagli
DMC3021LK4-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L	-	2500	Dettagli
DMC3021LSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO	-	17500	Dettagli
DMC3021LSDQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO	-	0	Dettagli
DMC3025LDV-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333	-	0	Dettagli
DMC3025LDV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333	-	6000	Dettagli
DMC3025LNS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333	-	0	Dettagli