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| Numero di parte | CEDM8001 TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.66nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 45pF @ 3V |
| Vgs (massimo) | 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 100mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-883 |
| Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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CEDM7001 BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883 | - | 15000 | Dettagli |
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CEDM7001 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883 | - | 2392000 | Dettagli |
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CEDM7001VL TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883 | - | 8000 | Dettagli |
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CEDM7002AE TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET NCH 60V 0.3A SOT883 | - | 8000 | Dettagli |
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CEDM7004 BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT-883 | - | 0 | Dettagli |
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CEDM7004 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883 | - | 4240000 | Dettagli |
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CEDM7004VL TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883 | - | 16000 | Dettagli |
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CEDM8001 BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 | - | 0 | Dettagli |
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CEDM8001 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 | - | 2808000 | Dettagli |
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CEDM8001VL TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883 | - | 192000 | Dettagli |
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CEDM8004 BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 | - | 0 | Dettagli |
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CEDM8004 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 | - | 272000 | Dettagli |