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BOM

AOC2800

MOSFET 2N-CH 4WLCSP
Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › AOC2800
AOC2800 P1
AOC2800 P1
Le immagini sono solo di riferimento.
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOC2800

Numero di parte
AOC2800
fabbricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione
MOSFET 2N-CH 4WLCSP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- AOC2800 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte AOC2800
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 1.3W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 4-UFBGA, WLCSP
Pacchetto dispositivo fornitore 4-WLCSP (1.57x1.57)

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