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| Número de pieza | BYV30W-600PQ |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 30A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.55V @ 30A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 75ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-2 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-2 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | 175°C (Max) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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BYV30-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC | - | 473 | Detalles |
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BYV30B-600PJ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK | - | 467 | Detalles |
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BYV30JT-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P | - | 467 | Detalles |
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BYV30W-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2 | - | 10560 | Detalles |
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BYV30X-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F | - | 460 | Detalles |
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BYV32-100-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY GP 100V 18A TO220AB | - | 0 | Detalles |
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BYV32-100HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY GP 100V 18A TO220AB | - | 0 | Detalles |
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BYV32-150-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY GP 150V 18A TO220AB | - | 0 | Detalles |
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BYV32-150801HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY GP TO220AB | - | 21173 | Detalles |
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BYV32-150HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY GP 150V 18A TO220AB | - | 0 | Detalles |
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BYV32-200 | ON Semiconductor | DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB | - | 0 | Detalles |
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BYV32-200-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY GP 200V 18A TO220AB | - | 55 | Detalles |