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| Número de pieza | SIA922EDJ-T4-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.4A (Ta), 4.5A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potencia - Max | 1.9W (Ta), 7.8W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SIA922EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6 | - | 6000 | Detalles |
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SIA922EDJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V SMD | - | 21006 | Detalles |