TLP109(IGM-TPR,E

OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD
TLP109(IGM-TPR,E P1
TLP109(IGM-TPR,E P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TLP109(IGM-TPR,E

Número de pieza
TLP109(IGM-TPR,E
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- TLP109(IGM-TPR,E PDF online browsing
Familia
Optoaisladores - Transistor, salida fotovoltaica
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Parámetro del producto

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Número de pieza TLP109(IGM-TPR,E
Estado de la pieza Active
número de canales 1
Voltaje - Aislamiento 3750Vrms
Ratio de transferencia actual (Min) 25% @ 10mA
Ratio de transferencia actual (máximo) 75% @ 10mA
Tiempo de encendido / apagado (Tipo) 450ns, 450ns
Tiempo de subida / bajada (Tipo) -
Tipo de entrada DC
Tipo de salida Transistor
Voltaje - Salida (Máx) 20V
Corriente - Salida / Canal 8mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) 1.64V
Current - DC Forward (If) (Max) 20mA
Saturación de Vce (Máx) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 125°C
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Paquete de dispositivo del proveedor 6-SO, 5 Lead

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