THGBMHG8C4LBAWR

IC FLASH 256GBIT 52MHZ 169VFBGA
THGBMHG8C4LBAWR P1
THGBMHG8C4LBAWR P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ THGBMHG8C4LBAWR

Número de pieza
THGBMHG8C4LBAWR
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
IC FLASH 256GBIT 52MHZ 169VFBGA
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Memoria
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Número de pieza THGBMHG8C4LBAWR
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND
Tamaño de la memoria 256Gb (32G x 8)
Frecuencia de reloj 52MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página -
Tiempo de acceso -
interfaz de memoria MMC
Suministro de voltaje 2.7 V ~ 3.6 V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 153-WFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor 153-WFBGA (11.5x13)

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