TC7SZ00FE,LJ(CT

IC GATE NAND 1CH 2-INP ESV
TC7SZ00FE,LJ(CT P1
TC7SZ00FE,LJ(CT P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TC7SZ00FE,LJ(CT

Número de pieza
TC7SZ00FE,LJ(CT
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
IC GATE NAND 1CH 2-INP ESV
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- TC7SZ00FE,LJ(CT PDF online browsing
Familia
Lógica - Compuertas e inversores
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Número de pieza TC7SZ00FE,LJ(CT
Estado de la pieza Active
Tipo de lógica NAND Gate
Cantidad de circuitos 1
Número de entradas 2
Caracteristicas -
Suministro de voltaje 1.65 V ~ 5.5 V
Actual - Quiescente (Máx) 2µA
Corriente - Salida alta, baja 32mA, 32mA
Nivel lógico - bajo -
Nivel lógico - Alto -
Retraso máximo de propagación @ V, Max CL 3.6ns @ 5V, 50pF
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor ESV
Paquete / caja SOT-553

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