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| Número de pieza | SSM6J409TU(TE85L,F |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.5A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.1 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | UF6 |
| Paquete / caja | 6-SMD, Flat Leads |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SSM6J409TU(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6 | - | 0 | Detalles |
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SSM6J414TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 6A UF6 | - | 0 | Detalles |