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| Número de pieza | 2SK879-Y(TE85L,F) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Voltaje - avería (V (BR) GSS) | - |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1.2mA @ 10V |
| Drenaje actual (Id) - Max | - |
| Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id | 400mV @ 100nA |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8.2pF @ 10V |
| Resistencia - RDS (Encendido) | - |
| Potencia - Max | 100mW |
| Temperatura de funcionamiento | 125°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SC-70, SOT-323 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | USM |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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2SK879-GR(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | JFET N-CH 0.1W USM | - | 0 | Detalles |
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2SK879-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | JFET N-CH 0.1W USM | - | 3000 | Detalles |