LRI2K-SBN18/1GE

IC EEPROM MEMORY TAG WAFER
LRI2K-SBN18/1GE P1
LRI2K-SBN18/1GE P1
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STMicroelectronics ~ LRI2K-SBN18/1GE

Número de pieza
LRI2K-SBN18/1GE
Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
IC EEPROM MEMORY TAG WAFER
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transpondedores de identificación por RF, etiquetas
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Número de pieza LRI2K-SBN18/1GE
Estado de la pieza Active
Estilo Inlay
Tecnología Passive
Frecuencia 13.56MHz
Tipo de memoria Read/Write
Memoria grabable 2kb (User)
Estándares ISO 15693, ISO 18000-3
Temperatura de funcionamiento -20°C ~ 85°C
Tamaño / Dimensión 76.00mm x 45.00mm

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