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| Número de pieza | RYE002N05TCL |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 50V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 0.9V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 26pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 150mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | EMT3 |
| Paquete / caja | SC-75, SOT-416 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RYE002N05TCL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3 | - | 33000 | Detalles |