RUE002N05TL

MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
RUE002N05TL P1
RUE002N05TL P1
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Rohm Semiconductor ~ RUE002N05TL

Número de pieza
RUE002N05TL
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza RUE002N05TL
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 50V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 200mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor EMT3
Paquete / caja SC-75, SOT-416

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