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| Número de pieza | DTD123TCHZGT116 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased + Diode |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | - |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 500nA (ICBO) |
| Frecuencia - Transición | 200MHz |
| Potencia - Max | 200mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SST3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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DTD122JKT146 | Rohm Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | 0 | Detalles | |
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DTD123YKT146 | Rohm Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | 12000 | Detalles |