R1RW0416DSB-2LR#B0

IC SRAM IBIS ASYNC
R1RW0416DSB-2LR#B0 P1
R1RW0416DSB-2LR#B0 P1
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Renesas Electronics America ~ R1RW0416DSB-2LR#B0

Número de pieza
R1RW0416DSB-2LR#B0
Fabricante
Renesas Electronics America
Descripción
IC SRAM IBIS ASYNC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Memoria
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Número de pieza R1RW0416DSB-2LR#B0
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria SRAM
Tecnología SRAM
Tamaño de la memoria 4Mb (256K x 16)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 12ns
Tiempo de acceso 12ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 44-TSOP II

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