NSVBAS19LT1G

DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
NSVBAS19LT1G P1
NSVBAS19LT1G P1
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ON Semiconductor ~ NSVBAS19LT1G

Número de pieza
NSVBAS19LT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza NSVBAS19LT1G
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 120V
Corriente - promedio rectificado (Io) 200mA (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.25V @ 200mA
Velocidad Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tiempo de recuperación inversa (trr) 50ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 100nA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F 5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 150°C

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