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| Número de pieza | FQD5N60CTM-WS |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.5W (Ta), 49W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D-Pak |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQD5N15TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK | 0 | Detalles | |
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FQD5N15TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK | - | 0 | Detalles |
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FQD5N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK | 0 | Detalles | |
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FQD5N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK | - | 2500 | Detalles |
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FQD5N20TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK | 0 | Detalles | |
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FQD5N30TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK | 0 | Detalles | |
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FQD5N30TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK | 0 | Detalles | |
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FQD5N40TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK | - | 0 | Detalles |
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FQD5N40TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK | - | 0 | Detalles |
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FQD5N50CTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 4A DPAK | 0 | Detalles | |
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FQD5N50CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 4A DPAK | 0 | Detalles | |
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FQD5N50CTM-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252 | - | 7340 | Detalles |