FDMD8630

MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
FDMD8630 P1
FDMD8630 P1
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ON Semiconductor ~ FDMD8630

Número de pieza
FDMD8630
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza FDMD8630
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 38A (Ta), 167A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 142nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9930pF @ 15V
Potencia - Max 2.3W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-PowerWDFN
Paquete de dispositivo del proveedor 8-Power 5x6

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