PDTA114EEAF

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC-75
PDTA114EEAF P1
PDTA114EEAF P1
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NXP USA Inc. ~ PDTA114EEAF

Número de pieza
PDTA114EEAF
Fabricante
NXP USA Inc.
Descripción
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC-75
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
PDTA114EEAF.pdf PDTA114EEAF PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Número de pieza PDTA114EEAF
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 10k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 10k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) 1µA
Frecuencia - Transición 180MHz
Potencia - Max 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SC-75, SOT-416
Paquete de dispositivo del proveedor SC-75

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