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NXP USA Inc. ~ BSP254A,126

Número de pieza	BSP254A,126
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	200mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	90pF @ 25V
Vgs (Max)	20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 Ohm @ 200mA, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-92-3
Paquete / caja	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
BSP220,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223		4000	Detalles
BSP225,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223		3000	Detalles
BSP230,135	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 300V 0.21A SOT223		4000	Detalles
BSP250,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 30V 3A SOT223		0	Detalles
BSP250,135	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 30V 3A SOT223		0	Detalles
BSP254A,126	NXP USA Inc.	MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54		0	Detalles
BSP295E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223	-	0	Detalles
BSP295E6327T	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223	-	0	Detalles
BSP295H6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223		14000	Detalles
BSP295L6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223	-	0	Detalles
BSP296 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223		0	Detalles
BSP296E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223		0	Detalles