MS1227

TRANS RF BIPO 80W 4.5A M113
MS1227 P1
MS1227 P1
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Microsemi Corporation ~ MS1227

Número de pieza
MS1227
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
TRANS RF BIPO 80W 4.5A M113
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- MS1227 PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
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Parámetro del producto

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Número de pieza MS1227
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 18V
Frecuencia - Transición 30MHz
Figura de ruido (dB Typ @ f) -
Ganancia 15dB
Potencia - Max 80W
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 4.5A
Temperatura de funcionamiento 200°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja M113
Paquete de dispositivo del proveedor M113

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