2N2907AE4

DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T
2N2907AE4 P1
2N2907AE4 P1
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Microsemi Corporation ~ 2N2907AE4

Número de pieza
2N2907AE4
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- 2N2907AE4 PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple
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Número de pieza 2N2907AE4
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 60V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Corriente - corte de colector (máximo) 10µA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Potencia - Max 500mW
Frecuencia - Transición -
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Paquete de dispositivo del proveedor TO-18

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