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| Número de pieza | MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | FLASH, RAM |
| Tecnología | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
| Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2) |
| Frecuencia de reloj | 533MHz |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | - |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / caja | - |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | - | 5687 | Detalles |
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MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | - | 5728 | Detalles |
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MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | - | 4579 | Detalles |
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MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F TR | Micron Technology Inc. | MASSFLASH/LPDDR2 6G | - | 0 | Detalles |