IXDN602PI

MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI
IXDN602PI P1
IXDN602PI P1
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IXYS Integrated Circuits Division ~ IXDN602PI

Número de pieza
IXDN602PI
Fabricante
IXYS Integrated Circuits Division
Descripción
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
PMIC - controladores de compuerta
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Número de pieza IXDN602PI
Estado de la pieza Active
Configuración Impulsada Low-Side
Tipo de canal Independent
Cantidad de controladores 2
Tipo de puerta IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Suministro de voltaje 4.5 V ~ 35 V
Voltaje lógico - VIL, VIH 0.8V, 3V
Actual - Salida máxima (Fuente, Sumidero) 2A, 2A
Tipo de entrada Non-Inverting
Alto voltaje lateral - Máx. (Bootstrap) -
Tiempo de subida / bajada (Tipo) 7.5ns, 6.5ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-DIP

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