IXTQ160N10T

MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P
IXTQ160N10T P1
IXTQ160N10T P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

IXYS ~ IXTQ160N10T

Número de pieza
IXTQ160N10T
Fabricante
IXYS
Descripción
MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- IXTQ160N10T PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza IXTQ160N10T
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 160A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 132nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6600pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-3P
Paquete / caja TO-3P-3, SC-65-3

Productos relacionados

Todos los productos