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| Número de pieza | IXTN40P50P |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 205nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11500pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 890W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 500mA, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-227B |
| Paquete / caja | SOT-227-4, miniBLOC |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IXTN102N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227 | - | 58 | Detalles |
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IXTN110N20L2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227 | 0 | Detalles | |
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IXTN120N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 | - | 0 | Detalles |
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IXTN120P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227 | 0 | Detalles | |
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IXTN170P10P | IXYS | MOSFET P-CH 100V 170A SOT227 | - | 177 | Detalles |
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IXTN17N120L | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B | - | 0 | Detalles |
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IXTN200N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227 | - | 373 | Detalles |
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IXTN200N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 | 0 | Detalles | |
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IXTN210P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227 | 0 | Detalles | |
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IXTN21N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B | - | 0 | Detalles |
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IXTN22N100L | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 | - | 414 | Detalles |
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IXTN240N075L2 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 1894 | Detalles |