IXTA76P10T

MOSFET P-CH 100V 76A TO-263
IXTA76P10T P1
IXTA76P10T P1
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IXYS ~ IXTA76P10T

Número de pieza
IXTA76P10T
Fabricante
IXYS
Descripción
MOSFET P-CH 100V 76A TO-263
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IXTA76P10T
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 76A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 197nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 13700pF @ 25V
Vgs (Max) ±15V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 298W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 500mA, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-263 (IXTA)
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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