IXFN52N90P

MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
IXFN52N90P P1
IXFN52N90P P1
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IXYS ~ IXFN52N90P

Número de pieza
IXFN52N90P
Fabricante
IXYS
Descripción
MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IXFN52N90P
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 43A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 308nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 19000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 26A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / caja SOT-227-4, miniBLOC

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