IXFN230N20T

MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
IXFN230N20T P1
IXFN230N20T P1
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IXYS ~ IXFN230N20T

Número de pieza
IXFN230N20T
Fabricante
IXYS
Descripción
MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXFN230N20T.pdf IXFN230N20T PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IXFN230N20T
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 220A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 378nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 28000pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1090W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 60A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / caja SOT-227-4, miniBLOC

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