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| Número de pieza | GWM160-0055P3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 160A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potencia - Max | - |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | ISOPLUS-DIL™ |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ISOPLUS-DIL™ |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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GWM160-0055P3 | IXYS | MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL | - | 0 | Detalles |
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GWM160-0055X1-SL | IXYS | MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS | - | 0 | Detalles |
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GWM160-0055X1-SLSAM | IXYS | MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS | - | 0 | Detalles |
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GWM160-0055X1-SMD | IXYS | MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS | - | 0 | Detalles |
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GWM160-0055X1-SMDSAM | IXYS | MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS | - | 0 | Detalles |