IKW30N65ES5XKSA1

IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
IKW30N65ES5XKSA1 P1
IKW30N65ES5XKSA1 P1
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Infineon Technologies ~ IKW30N65ES5XKSA1

Número de pieza
IKW30N65ES5XKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - IGBT - Simple
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Número de pieza IKW30N65ES5XKSA1
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 650V
Current - Collector (Ic) (Max) 62A
Corriente - colector pulsado (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 30A
Potencia - Max 188W
Conmutación de energía 560µJ (on), 320µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Cargo de puerta 70nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 17ns/124ns
Condición de prueba 400V, 30A, 13 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) 75ns
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO247-3

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