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| Número de pieza | IDC08D120T6MX1SA2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 10A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.05V @ 10A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2.7µA @ 1200V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | Die |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Sawn on foil |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -40°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IDC08D120T6MX1SA2 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER | - | 43906 | Detalles |