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Número de pieza | FF8MR12W2M1B11BOMA1 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 150A (Tj) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 150A, 15V (Typ) |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 60mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 372nC @ 15V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 800V |
Potencia - Max | 20mW (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / caja | Module |
Paquete de dispositivo del proveedor | AG-EASY2BM-2 |