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| Número de pieza | BSD235NH6327XTSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 950mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1.6µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.32nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 63pF @ 10V |
| Potencia - Max | 500mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-SOT363-6 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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BSD235C L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 | - | 0 | Detalles |
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BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V SOT363 | - | 3000 | Detalles |
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BSD235N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 | - | 0 | Detalles |
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BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 | - | 0 | Detalles |