BSC150N03LDGATMA1

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
BSC150N03LDGATMA1 P1
BSC150N03LDGATMA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSC150N03LDGATMA1

Número de pieza
BSC150N03LDGATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza BSC150N03LDGATMA1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V
Potencia - Max 26W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TDSON-8 Dual

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