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Fujitsu Electronics America, Inc. ~ MB85R256FPF-G-BND-ERE1

Número de pieza: MB85R256FPF-G-BND-ERE1
Fabricante: Fujitsu Electronics America, Inc.
Descripción: IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos: MB85R256FPF-G-BND-ERE1.pdf MB85R256FPF-G-BND-ERE1 PDF online browsing
Familia: Memoria

Número de pieza	MB85R256FPF-G-BND-ERE1
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de memoria	Non-Volatile
Formato de memoria	FRAM
Tecnología	FRAM (Ferroelectric RAM)
Tamaño de la memoria	256Kb (32K x 8)
Frecuencia de reloj	-
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	150ns
Tiempo de acceso	150ns
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	2.7 V ~ 3.6 V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	-
Paquete / caja	-
Paquete de dispositivo del proveedor	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	Ver
MB85R256FPF-G-BND-ERE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP		Detalles
MB85R256FPF-G-BNDE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP		Detalles
MB85R256FPFCN-G-BNDE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP		Detalles
MB85R256FPNF-G-JNERE2	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP		Detalles
MB85R256GPF-G-BND-ERE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP	-	Detalles
MB85R256GPF-G-BNDE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP	-	Detalles